國家存儲器基地

方案簡介：

國家存儲器基地位于武漢光谷。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

2017年1月1日，總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工?？傉嫉孛娣e1968畝，其中主廠區總用地面積1717畝，建成后月產能將達30萬片。配套倒班宿舍用地251畝，將要建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，總建筑面積達246萬m2。

國家存儲器基地項目現有高層視頻會議室、視頻會議室、會議室、培訓室共102間會議室。以及空中參觀走廊、VIP接待展廳。

會議室主要用于遠程視頻會議、遠程語音會議和本地會議。

空中參觀走廊、VIP接待展廳主要用于企業、技術展示，領導接待參觀。

建設內容：

會議互動平板、顯示系統、遠程視音頻會議系統、無線投屏系統、擴聲系統、會議發言系統、高清混插矩陣系統等。

業務場景：